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568-6902-1-ND

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PSMN011-30YL,115
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2608 
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¥ 4.0462
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FET 功能逻辑电平门
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.15V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)726pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)14.8nC @ 10V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值)10.7 毫欧 @ 15A,10V
供应商器件封装LFPAK,Power-SO8
功率 - 最大值49W
包装剪切带 (CT)可替代的包装
安装类型表面贴装
封装/外壳SC-100,SOT-669,4-LFPAK
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)51A
系列TrenchMOS™
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