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FQN1N60CTATB-ND

Part Number :
FQN1N60CTA
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6000 
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Unit price :
¥ 0.9662
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FET 功能标准
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)170pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)6.2nC @ 10V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值)11.5 欧姆 @ 150mA,10V
供应商器件封装TO-92-3
功率 - 最大值1W
包装带盒(TB)可替代的包装
安装类型通孔
封装/外壳TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
漏源极电压 (Vdss)600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)300mA
系列QFET™
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