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IXTH6N50D2-ND

Part Number :
IXTH6N50D2
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106 
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Unit price :
¥ 38.6228
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FET 功能耗尽模式
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)2800pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)96nC @ 5V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值)500 毫欧 @ 3A,0V
供应商器件封装TO-247
功率 - 最大值300W
包装管件
安装类型通孔
封装/外壳TO-247-3
漏源极电压 (Vdss)500V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)6A
系列-
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