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RSJ650N10TLDKR-ND
- Part Number :
- RSJ650N10TL
- Batch No :
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- Intro :
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- Stock :
- 2123
- Delivery :
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- Unit price :
- No price.
| FET 功能 | 逻辑电平栅极，4V 驱动 |
|---|---|
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 10780pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 260nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 9.1 毫欧 @ 32.5A，10V |
| 供应商器件封装 | LPTS |
| 功率 - 最大值 | 100W |
| 包装 | Digi-Reel®可替代的包装 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-83 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 65A |
| 系列 | - |
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