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RSD200N10TLTR-ND
- Part Number :
- RSD200N10TL
- Batch No :
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- Intro :
- -
- Share :
- PDF :
- Stock :
- 2500
- Delivery :
- -
- Unit price :
- ¥ 5.4789
FET 功能 | 逻辑电平门 |
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FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2200pF @ 25V |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 48.5nC @ 10V |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) | 52 毫欧 @ 10A,10V |
供应商器件封装 | CPT3 |
功率 - 最大值 | 20W |
包装 | 带卷 (TR)可替代的包装 |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
漏源极电压 (Vdss) | 100V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 20A |
系列 | - |
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