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SIHG30N60E-E3-ND

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SIHG30N60E-E3
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425 
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¥ 39.4811
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FET 功能标准
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)2600pF @ 100V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)130nC @ 10V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值)125 毫欧 @ 15A,10V
供应商器件封装TO-247AC
功率 - 最大值250W
包装管件
安装类型通孔
封装/外壳TO-247-3
漏源极电压 (Vdss)600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)29A
系列E 系列
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