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SIHB24N65E-GE3-ND
- Part Number :
- SIHB24N65E-GE3
- Batch No :
- -
- Intro :
- -
- Share :
- PDF :
- Stock :
- 990
- Delivery :
- -
- Unit price :
- ¥ 36.5384
| FET 功能 | 标准 |
|---|---|
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2740pF @ 100V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 122nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 145 毫欧 @ 12A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率 - 最大值 | 250W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 漏源极电压 (Vdss) | 650V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 24A |
| 系列 | E 系列 |
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