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SIE854DF-T1-GE3CT-ND
- Part Number :
- SIE854DF-T1-GE3
- Batch No :
- -
- Intro :
- -
- Share :
- PDF :
- Stock :
- 4356
- Delivery :
- -
- Unit price :
- ¥ 26.3003
FET 功能 | 标准 |
---|---|
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4.4V @ 250µA |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 3100pF @ 50V |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 75nC @ 10V |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) | 14.2 毫欧 @ 13.2A,10V |
供应商器件封装 | 10-PolarPAK®(L) |
功率 - 最大值 | 125W |
包装 | 剪切带 (CT)可替代的包装 |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 10-PolarPAK®(L) |
漏源极电压 (Vdss) | 100V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 60A |
系列 | TrenchFET® |
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