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SI4890DY-T1-E3TR-ND
- Part Number :
- SI4890DY-T1-E3
- Batch No :
- -
- Intro :
- -
- Share :
- PDF :
- Stock :
- 10000
- Delivery :
- -
- Unit price :
- ¥ 7.8625
FET 功能 | 逻辑电平门 |
---|---|
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 800mV @ 250µA |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | - |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 20nC @ 5V |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) | 12 毫欧 @ 11A,10V |
供应商器件封装 | 8-SOIC N |
功率 - 最大值 | 2.5W |
包装 | 带卷 (TR)可替代的包装 |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
漏源极电压 (Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 11A |
系列 | TrenchFET® |
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