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SI7434DP-T1-GE3TR-ND
- Part Number :
- SI7434DP-T1-GE3
- Batch No :
- -
- Intro :
- -
- Share :
- PDF :
- Stock :
- 6000
- Delivery :
- -
- Unit price :
- ¥ 7.8226
FET 功能 | 逻辑电平门 |
---|---|
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | - |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 50nC @ 10V |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) | 155 毫欧 @ 3.8A,10V |
供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
功率 - 最大值 | 1.9W |
包装 | 带卷 (TR)可替代的包装 |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
漏源极电压 (Vdss) | 250V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 2.3A |
系列 | - |
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