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SUD35N10-26P-GE3TR-ND

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SUD35N10-26P-GE3
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6000 
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¥ 5.7934
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FET 功能标准
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4.4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)2000pF @ 12V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)47nC @ 10V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值)26 毫欧 @ 12A,10V
供应商器件封装TO-252,(D-Pak)
功率 - 最大值83W
包装带卷 (TR)可替代的包装
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
漏源极电压 (Vdss)100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)35A
系列TrenchFET®
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