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SI6423DQ-T1-E3CT-ND

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SI6423DQ-T1-E3
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20382 
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¥ 12.2612
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FET 功能逻辑电平门
FET 类型MOSFET P 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)800mV @ 400µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)110nC @ 5V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值)8.5 毫欧 @ 9.5A,4.5V
供应商器件封装8-TSSOP
功率 - 最大值1.05W
包装剪切带 (CT)可替代的包装
安装类型表面贴装
封装/外壳8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
漏源极电压 (Vdss)12V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)8.2A
系列TrenchFET®
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