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SI7898DP-T1-E3DKR-ND

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SI7898DP-T1-E3
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FET 功能逻辑电平门
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)21nC @ 10V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值)85 毫欧 @ 3.5A,10V
供应商器件封装PowerPAK® SO-8
功率 - 最大值1.9W
包装Digi-Reel®可替代的包装
安装类型表面贴装
封装/外壳PowerPAK® SO-8
漏源极电压 (Vdss)150V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)3A
系列TrenchFET®
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