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SI6467BDQ-T1-E3TR-ND
- Part Number :
- SI6467BDQ-T1-E3
- Batch No :
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- Intro :
- -
- Share :
- PDF :
- Stock :
- 6000
- Delivery :
- -
- Unit price :
- ¥ 4.0137
FET 功能 | 逻辑电平门 |
---|---|
FET 类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 850mV @ 450µA |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | - |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 70nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) | 12.5 毫欧 @ 8A,4.5V |
供应商器件封装 | 8-TSSOP |
功率 - 最大值 | 1.05W |
包装 | 带卷 (TR)可替代的包装 |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) |
漏源极电压 (Vdss) | 12V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 6.8A |
系列 | TrenchFET® |
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