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SIR850DP-T1-GE3CT-ND
- Part Number :
- SIR850DP-T1-GE3
- Batch No :
- -
- Intro :
- -
- Share :
- PDF :
- Stock :
- 6977
- Delivery :
- -
- Unit price :
- ¥ 7.4793
FET 功能 | 标准 |
---|---|
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1120pF @ 15V |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 30nC @ 10V |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) | 7 毫欧 @ 20A,10V |
供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
功率 - 最大值 | 41.7W |
包装 | 剪切带 (CT)可替代的包装 |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
漏源极电压 (Vdss) | 25V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 30A |
系列 | - |
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