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SI8409DB-T1-E1CT-ND

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SI8409DB-T1-E1
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9208 
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¥ 7.4793
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FET 功能逻辑电平栅极,2.5V 驱动
FET 类型MOSFET P 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)26nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值)46 毫欧 @ 1A,4.5V
供应商器件封装4-Microfoot
功率 - 最大值1.47W
包装剪切带 (CT)可替代的包装
安装类型表面贴装
封装/外壳4-XFBGA,CSPBGA
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)4.6A
系列TrenchFET®
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