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SI3438DV-T1-GE3TR-ND

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SI3438DV-T1-GE3
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9000 
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¥ 2.7465
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FET 功能逻辑电平门
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)640pF @ 20V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)20nC @ 10V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值)35.5 毫欧 @ 5A,10V
供应商器件封装6-TSOP
功率 - 最大值3.5W
包装带卷 (TR)可替代的包装
安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
漏源极电压 (Vdss)40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)7.4A
系列TrenchFET®
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