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SIA421DJ-T1-GE3CT-ND

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SIA421DJ-T1-GE3
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16328 
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¥ 6.7437
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FET 功能标准
FET 类型MOSFET P 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)950pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)29nC @ 10V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值)35 毫欧 @ 5.3A,10V
供应商器件封装PowerPAK® SC-70-6 单
功率 - 最大值19W
包装剪切带 (CT)可替代的包装
安装类型表面贴装
封装/外壳PowerPAK® SC-70-6
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)12A
系列-
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