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SI3410DV-T1-GE3CT-ND
- Part Number :
- SI3410DV-T1-GE3
- Batch No :
- -
- Intro :
- -
- Share :
- PDF :
- Stock :
- 7789
- Delivery :
- -
- Unit price :
- ¥ 5.6402
| FET 功能 | 标准 |
|---|---|
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1295pF @ 15V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 33nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 19.5 毫欧 @ 5A，10V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 功率 - 最大值 | 4.1W |
| 包装 | 剪切带 (CT)可替代的包装 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 8A |
| 系列 | TrenchFET® |
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