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SI7772DP-T1-GE3TR-ND
- Part Number :
- SI7772DP-T1-GE3
- Batch No :
- -
- Intro :
- -
- Share :
- PDF :
- Stock :
- 72000
- Delivery :
- -
- Unit price :
- ¥ 1.8226
FET 功能 | 标准 |
---|---|
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1084pF @ 15V |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 28nC @ 10V |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) | 13 毫欧 @ 15A,10V |
供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
功率 - 最大值 | 29.8W |
包装 | 带卷 (TR)可替代的包装 |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
漏源极电压 (Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 35.6A |
系列 | SkyFET®, TrenchFET® |
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