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SI1499DH-T1-GE3CT-ND

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SI1499DH-T1-GE3
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7942 
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¥ 4.5980
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FET 功能逻辑电平门
FET 类型MOSFET P 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)800mV @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)650pF @ 4V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)16nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值)78 毫欧 @ 2A,4.5V
供应商器件封装SC-70-6
功率 - 最大值2.78W
包装剪切带 (CT)可替代的包装
安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
漏源极电压 (Vdss)8V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)1.6A
系列TrenchFET®
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