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SI2312BDS-T1-E3CT-ND
- Part Number :
- SI2312BDS-T1-E3
- Batch No :
- -
- Intro :
- -
- Share :
- PDF :
- Stock :
- 40835
- Delivery :
- -
- Unit price :
- ¥ 3.9236
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
|---|---|
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 850mV @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 12nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 31 毫欧 @ 5A，4.5V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率 - 最大值 | 750mW |
| 包装 | 剪切带 (CT)可替代的包装 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 3.9A |
| 系列 | TrenchFET® |
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