HOME>Products>SI3433CDV-T1-GE3

SI3433CDV-T1-GE3CT-ND

Part Number :
SI3433CDV-T1-GE3
Manufacturer :
Batch No :
-
Intro :
-
Share :
分享到:
PDF :
PDF
Stock :
3058 
Delivery :
-
Unit price :
¥ 3.2492
Quantity :Add to cart
FET 功能逻辑电平门
FET 类型MOSFET P 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1300pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)45nC @ 8V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值)38 毫欧 @ 5.2A,4.5V
供应商器件封装6-TSOP
功率 - 最大值3.3W
包装剪切带 (CT)可替代的包装
安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
漏源极电压 (Vdss)20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)6A
系列TrenchFET®
No reviews.
You can share your idea with other users ( No less than 5 characters )
You will comment as tourist, if you are a member, you can [ Sign in ]  [ Join now ]
在线客服 
联系方式 
回到顶部
×
销售客服 :点击这里给我发消息
销售客服 :点击这里给我发消息
销售客服 :点击这里给我发消息