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    包装 :

    Digi-Reel®可替代的包装剪切带 (CT)可替代的包装带卷 (TR)可替代的包装
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    系列 :

    -HEXFET®TrenchFET®
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    封装/外壳 :

    6-LSOP（0.063"，1.60mm 宽）8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）PowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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    供应商器件封装 :

    8-SO8-SOIC8-SOIC NMicro6™（TSOP-6）SOT-23-3（TO-236）
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    FET 类型 :

    MOSFET N 通道，金属氧化物MOSFET P 通道，金属氧化物
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    FET 功能 :

    逻辑电平栅极，2.5V 驱动逻辑电平门
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    漏源极电压 (Vdss) :

    20V30V40V60V8V
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    电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） :

    10A13A2.4A3.2A3.3A3.6A4.8A4.9A5.4A5.8A6A
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    不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） :

    10 毫欧 @ 10A，10V100 毫欧 @ 2.2A，10V100 毫欧 @ 2.2A，4.5V15 毫欧 @ 10A，10V180 毫欧 @ 1.6A，10V200 毫欧 @ 1.6A，4.5V22 毫欧 @ 6A，10V35 毫欧 @ 4.4A，4.5V40 毫欧 @ 4.1A，4.5V44 毫欧 @ 4.2A，4.5V45 毫欧 @ 6A，10V5.5 毫欧 @ 20A，10V60 毫欧 @ 3.2A，10V68 毫欧 @ 2.9A，4.5V
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    不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） :

    1.5V @ 250µA1V @ 250µA2.2V @ 250µA2.5V @ 250µA2V @ 250µA3V @ 250µA700mV @ 250µA800mV @ 250µA
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    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) :

    10.5nC @ 10V10nC @ 10V10nC @ 4.5V11nC @ 10V15nC @ 4.5V25nC @ 4.5V27nC @ 10V30nC @ 8V37nC @ 10V55nC @ 10V6.7nC @ 10V7nC @ 4.5V8.8nC @ 4.5V9.6nC @ 10V
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    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) :

    170pF @ 25V1950pF @ 20V210pF @ 15V210pF @ 25V235pF @ 15V3000pF @ 20V300pF @ 15V320pF @ 15V620pF @ 15V634pF @ 15V740pF @ 4V960pF @ 4V
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    Records matching criteria : 42|Filters :FET - 单功率 - 最大值 : 1.7W

    FET - 单

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    DMP3050LSS-13
    		Diodes Inc
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    DMP3050LSS-13
    		Diodes Inc
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    DMP3050LSS-13
    		Diodes Inc
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    IRLMS1902TRPBF
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    IRLMS1902TRPBF
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    SI2334DS-T1-GE3
    		Vishay Siliconix
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