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网站首页>产品>FET - 单

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    制造商 :

    Texas Instruments德州Vishay SiliconixAlpha & Omega Semiconductor Inc
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    包装 :

    Digi-Reel®可替代的包装剪切带 (CT)可替代的包装带卷 (TR)可替代的包装
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    所有

    系列 :

    -LITTLE FOOT®NexFET™TrenchFET®
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    所有

    封装/外壳 :

    6-TSSOP，SC-88，SOT-3636-UDFN 裸露焊盘8-SMD，扁平引线8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）8-TDFN 裸露焊盘
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    所有

    供应商器件封装 :

    1206-8 ChipFET™6-DFN-EP（2x2）6-DFN（2x2）8-SOIC N8-SONSC-70-6
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    所有

    FET 类型 :

    MOSFET N 通道，金属氧化物MOSFET P 通道，金属氧化物
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    所有

    FET 功能 :

    二极管（隔离式）标准逻辑电平栅极，1.2V 驱动逻辑电平栅极，1.5V 驱动逻辑电平栅极，2.5V 驱动逻辑电平栅极，2V 驱动逻辑电平门
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    所有

    漏源极电压 (Vdss) :

    100V12V20V30V8V
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    所有

    电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） :

    3.7A4.1A4.5A4A5.1A6.1A60A8A
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    不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） :

    108 毫欧 @ 3.3A，4.5V11 毫欧 @ 8A，2.5V11.7 毫欧 @ 10A，4.5V14.5 毫欧 @ 8A，4.5V144 毫欧 @ 2.5A，4.5V22 毫欧 @ 8A，2.5V26 毫欧 @ 5.1A，4.5V34 毫欧 @ 5.5A，4.5V49 毫欧 @ 4.6A，4.5V66 毫欧 @ 3.8A，4.5V72 mOhm @ 4.5A，10V
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    所有

    不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） :

    1.2V @ 250µA1.5V @ 250µA1.6V @ 250µA1V @ 250µA2.8V @ 250µA460mV @ 250µA650mV @ 250µA950mV @ 250µA
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    所有

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) :

    0.01nC @ 5V12.3nC @ 4.5V12nC @ 10V16nC @ 4.5V18nC @ 4.5V20nC @ 8V36nC @ 8V6.8nC @ 5V7.5nC @ 5V7nC @ 4.5V
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    所有

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) :

    1400pF @ 10V1465pF @ 4V1645pF @ 4V276pF @ 10V415pF @ 50V510pF @ 15V530pF @ 10V660pF @ 10V725pF @ 6V782pF @ 10V
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    匹配的产品数量 : 33|筛选条件 :FET - 单功率 - 最大值 : 2.8W

    FET - 单

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    CSD25401Q3
    		Texas Instruments德州
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    CSD25401Q3
    		Texas Instruments德州
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    CSD25401Q3
    		Texas Instruments德州
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    AON2401
    		Alpha & Omega Semiconductor Inc
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    AON2401
    		Alpha & Omega Semiconductor Inc
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    		Alpha & Omega Semiconductor Inc
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    		Alpha & Omega Semiconductor Inc
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    		Alpha & Omega Semiconductor Inc
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    		Alpha & Omega Semiconductor Inc
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    		Alpha & Omega Semiconductor Inc
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    		Alpha & Omega Semiconductor Inc
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    AON2290
    		Alpha & Omega Semiconductor Inc
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    		Alpha & Omega Semiconductor Inc
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    		Vishay Siliconix
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    		Vishay Siliconix
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    		Vishay Siliconix
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    SI1422DH-T1-GE3
    		Vishay Siliconix
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