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收起展开不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) :
1.6 欧姆 @ 500mA,10V10.8 毫欧 @ 11A,10V21 毫欧 @ 10A,10V30 毫欧 @ 6A,10V40 毫欧 @ 4.2A,10V5.1 毫欧 @ 20A,10V5.2 毫欧 @ 20A,10V6 毫欧 @ 10A,10V
关闭不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) :
所有不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) :
所有FET - 单
图片 | 型号 | 制造商 | 货期 | 批号 | 库存 | 单价 | 购买 | |
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Diodes Inc | - | - | 11028 | ¥ 3.1266 | ||||
Diodes Inc | - | - | 2698 | ¥ 2.6975 | ||||
Diodes Inc | - | - | 3000 | ¥ 2.5749 | ||||
NXP Semiconductors | - | - | 5859 | ¥ 2.8201 | ||||
NXP Semiconductors | - | - | 4914 | ¥ 2.3909 | ||||
NXP Semiconductors | - | - | 11218 | ¥ 1.8392 | ||||
Texas Instruments德州 | - | - | 4878 | ¥ 7.6633 | ||||
Texas Instruments德州 | - | - | 9459 | ¥ 7.6633 | ||||
Texas Instruments德州 | - | - | 9084 | ¥ 5.9467 | ||||
Vishay Siliconix | - | - | 13256 | ¥ 6.6824 |