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收起展开不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) :
11 毫欧 @ 14A,10V14 毫欧 @ 9A,10V16 毫欧 @ 9A,10V17 毫欧 @ 9A,10V20 毫欧 @ 9A,4.5V26 毫欧 @ 7.9A,4.5V27 毫欧 @ 5.6A,4.5V30 毫欧 @ 5A,4.5V32 毫欧 @ 7A,10V58 毫欧 @ 3.7A,4.5V87 毫欧 @ 4.17A,10V
关闭不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) :
10.05nC @ 10V14.03nC @ 5V15nC @ 5V18nC @ 10V18nC @ 8V20nC @ 5V21nC @ 8V23nC @ 4.5V30nC @ 8V38nC @ 10V39nC @ 5V
关闭不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) :
所有FET - 单
- 制造商 : Rohm Semiconductor批号 : -PDF : PDF库存 : 8465
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- 制造商 : Rohm Semiconductor批号 : -PDF : PDF库存 : 4995
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- 批号 : -PDF : PDF库存 : 5620
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- 批号 : -PDF : PDF库存 : 8395
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- 制造商 : Vishay Siliconix批号 : -PDF : PDF库存 : 16103
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- 制造商 : Vishay Siliconix批号 : -PDF : PDF库存 : 10408
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- 制造商 : Vishay Siliconix批号 : -PDF : PDF库存 : 5576
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- 制造商 : Vishay Siliconix批号 : -PDF : PDF库存 : 23030
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- 制造商 : Vishay Siliconix批号 : -PDF : PDF库存 : 3694
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