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BSM180D12P2C101-ND
- 型号 :
- BSM180D12P2C101
- 制造商 :
- Rohm Semiconductor
- 批号 :
- -
- 简介 :
- SIC PWR MOD DMOS HALF BRIDGE
- 分享 :
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- 库存 :
- 0
- 货期 :
- -
- 单价 :
- ¥ 11,770.7520
没有库存
| FET 功能 | 碳化硅 (SiC) |
|---|---|
| FET 类型 | 2 个 N 通道（半桥） |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 35.2mA |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 23000pF @ 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | - |
| 供应商器件封装 | 模块 |
| 功率 - 最大值 | 1130W |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | 模块 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 180A |
| 系列 | * |
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