浏览历史
| FET 功能 | 标准 |
|---|---|
| FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3.7V @ 600µA |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 890pF @ 300V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 25nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) | 340 毫欧 @ 5.8A, 10V |
| 供应商器件封装 | DPAK |
| 功率 - 最大值 | 100W |
| 包装 | 剪切带 (CT)可替代的包装 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 600V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 11.5A |
| 系列 | - |
- 产品评论
没有评论