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| FET 功能 | 逻辑电平门 |
|---|---|
| FET 类型 | GaNFET N 通道，氮化镓 |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1.2mA |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 200pF @ 50V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 2.7nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 30 毫欧 @ 6A，5V |
| 供应商器件封装 | 5-LGA（1.7x1.1） |
| 功率 - 最大值 | - |
| 包装 | 剪切带 (CT)可替代的包装 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 5-LGA |
| 漏源极电压 (Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 6A |
| 系列 | eGaN® |
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