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| FET 功能 | 逻辑电平门 |
|---|---|
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 3.3V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 285pF @ 30V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 5.3nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 145 毫欧 @ 3A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-DFN-EP（3x3） |
| 功率 - 最大值 | 3.1W |
| 包装 | 剪切带 (CT)可替代的包装 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线裸焊盘 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 3.3A |
| 系列 | SDMOS™ |
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