| FET 功能 | 逻辑电平栅极，1.5V 驱动 |
|---|---|
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1mA |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1170pF @ 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 19nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 31 毫欧 @ 4A，4.5V |
| 供应商器件封装 | TSM（2.9x2.8） |
| 功率 - 最大值 | 700mW |
| 包装 | 剪切带 (CT)可替代的包装 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 5A |
| 系列 | - |
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