| FET 功能 | 逻辑电平栅极，1.5V 驱动 |
|---|---|
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1mA |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 331pF @ 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 7.7nC @ 4V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 149 毫欧 @ 600mA，4V |
| 供应商器件封装 | UFM（2.0x2.1） |
| 功率 - 最大值 | 500mW |
| 包装 | 剪切带 (CT)可替代的包装 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-SMD，扁平引线 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 1.8A |
| 系列 | - |
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