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SIE810DF-T1-E3CT-ND
- 型号 :
- SIE810DF-T1-E3
- 制造商 :
- Vishay Siliconix
- 批号 :
- -
- 简介 :
- MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK
- 分享 :
- PDF :
- 库存 :
- 4778
- 货期 :
- -
- 单价 :
- ¥ 22.8058
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
|---|---|
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 13000pF @ 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 300nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 1.4 欧姆 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | 10-PolarPAK®（L） |
| 功率 - 最大值 | 125W |
| 包装 | 剪切带 (CT)可替代的包装 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 10-PolarPAK®（L） |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 60A |
| 系列 | TrenchFET® |
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