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SISA10DN-T1-GE3TR-ND
- 型号 :
- SISA10DN-T1-GE3
- 制造商 :
- Vishay Siliconix
- 批号 :
- -
- 简介 :
- MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8
- 分享 :
- PDF :
- 库存 :
- 3000
- 货期 :
- -
- 单价 :
- ¥ 2.2315
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
|---|---|
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2425pF @ 15V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 51nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 3.7 毫欧 @ 10A，10V |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 功率 - 最大值 | 39W |
| 包装 | 带卷 (TR)可替代的包装 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 30A |
| 系列 | TrenchFET®Gen IV |
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