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SI4621DY-T1-E3CT-ND
- 型号 :
- SI4621DY-T1-E3
- 制造商 :
- Vishay Siliconix
- 批号 :
- -
- 简介 :
- MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-SOIC
- 分享 :
- PDF :
- 库存 :
- 9777
- 货期 :
- -
- 单价 :
- ¥ 5.6402
| FET 功能 | 二极管（隔离式） |
|---|---|
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 450pF @ 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 13nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 54 毫欧 @ 5A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 功率 - 最大值 | 3.1W |
| 包装 | 剪切带 (CT)可替代的包装 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 6.2A |
| 系列 | - |
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