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SIA427DJ-T1-GE3DKR-ND
- 型号 :
- SIA427DJ-T1-GE3
- 制造商 :
- Vishay Siliconix
- 批号 :
- -
- 简介 :
- MOSFET P-CH 8V SC-70-6
- 分享 :
- PDF :
- 库存 :
- 11241
- 货期 :
- -
- 单价 :
- 暂无价格
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
|---|---|
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 800mV @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2300pF @ 4V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 50nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 16 毫欧 @ 8.2A，4.5V |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SC-70-6 单 |
| 功率 - 最大值 | 19W |
| 包装 | Digi-Reel®可替代的包装 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SC-70-6 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 8V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 12A |
| 系列 | TrenchFET® |
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